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BSR92P L6327 /Infineon Technologies/分立半导体产品
BSR92P L6327的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

数据列表:BSR92P

标准包装:3,000

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:SIPMOS®

包装:带卷(TR)

FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压(Vdss):250V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):140mA(Ta)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):11 欧姆 @ 140mA,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 130µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):4.8nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):109pF @ 25V

功率 - 最大值:500mW

安装类型:表面贴装

封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装:PG-SC-59

其它名称:BSR92PL6327HTSA1SP000265408

供应商BSR92P L6327
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10+:¥2.15
100+:¥1.19
1000+:¥0.9901
3000+:¥0.9
9000+:¥0.9
24000+:¥0.83
45000+:¥0.81
99000+:¥0.781+:¥2.39
10+:¥2.14
100+:¥1.83
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10+:¥2.15
100+:¥1.19
1000+:¥0.9901
3000+:¥0.9
9000+:¥0.9
24000+:¥0.83
45000+:¥0.81
99000+:¥0.78